Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET F7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
158W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 115,00
€ 2,30 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 142,60
€ 2,852 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 115,00
€ 2,30 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 142,60
€ 2,852 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET F7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
158W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


