Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
TO-220
Series
STripFET H7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
200W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
96nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 15,90
€ 3,18 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,72
€ 3,943 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 15,90
€ 3,18 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,72
€ 3,943 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,18 | € 15,90 |
| 10+ | € 3,05 | € 15,25 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
TO-220
Series
STripFET H7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
200W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
96nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


