STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
285mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1,96
€ 1,96 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,43
€ 2,43 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
€ 1,96
€ 1,96 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,43
€ 2,43 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
285mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος

