N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP20NM60FP
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
290 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
9.3mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 9,23
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,45
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
€ 9,23
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,45
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 9,23 |
10 - 99 | € 7,97 |
100 - 499 | € 6,48 |
500 - 999 | € 5,85 |
1000+ | € 5,02 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
290 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
9.3mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος