Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.75mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 103,00
€ 2,06 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 127,72
€ 2,554 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 103,00
€ 2,06 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 127,72
€ 2,554 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,06 | € 103,00 |
| 100 - 200 | € 1,64 | € 82,00 |
| 250+ | € 1,49 | € 74,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.75mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


