N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N65DM2
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
35.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 4,11
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,096
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
€ 4,11
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,096
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 4,11 | € 205,50 |
100 - 200 | € 3,63 | € 181,50 |
250 - 450 | € 3,50 | € 175,00 |
500 - 950 | € 3,18 | € 159,00 |
1000+ | € 3,00 | € 150,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
35.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Χώρα Προέλευσης
China