Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
115 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 73,00
€ 1,46 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 90,52
€ 1,81 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 73,00
€ 1,46 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 90,52
€ 1,81 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,46 | € 73,00 |
| 100+ | € 1,41 | € 70,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
STripFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
115 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


