Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
38A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
28mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
32nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 4,95
€ 0,99 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,14
€ 1,228 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 4,95
€ 0,99 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,14
€ 1,228 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,99 | € 4,95 |
| 10 - 20 | € 0,91 | € 4,55 |
| 25 - 95 | € 0,89 | € 4,45 |
| 100 - 495 | € 0,68 | € 3,40 |
| 500+ | € 0,57 | € 2,85 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
38A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
28mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
32nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


