Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
95W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
16 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 10,95
€ 2,19 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,58
€ 2,716 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 10,95
€ 2,19 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,58
€ 2,716 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,19 | € 10,95 |
| 10+ | € 2,11 | € 10,55 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
95W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
16 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


