Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15 V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Width
4.6 mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 75,50
€ 1,51 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 93,62
€ 1,872 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 75,50
€ 1,51 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 93,62
€ 1,872 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,51 | € 75,50 |
| 100 - 450 | € 1,25 | € 62,50 |
| 500 - 950 | € 1,07 | € 53,50 |
| 1000 - 4950 | € 0,97 | € 48,50 |
| 5000+ | € 0,81 | € 40,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15 V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Width
4.6 mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


