STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP6NK90ZFP

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
9.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 137,00
€ 2,74 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 169,88
€ 3,398 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 137,00
€ 2,74 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 169,88
€ 3,398 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
9.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος

