STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Length
10.4mm
Height
9.3mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 137,00
€ 2,74 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 169,88
€ 3,398 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 137,00
€ 2,74 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 169,88
€ 3,398 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Length
10.4mm
Height
9.3mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος

