Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.75mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 96,50
€ 1,93 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 119,66
€ 2,393 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 96,50
€ 1,93 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 119,66
€ 2,393 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,93 | € 96,50 |
| 100+ | € 1,88 | € 94,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.75mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


