STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
6.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
142nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 120,00
€ 2,40 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 148,80
€ 2,976 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 120,00
€ 2,40 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 148,80
€ 2,976 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,40 | € 120,00 |
| 100+ | € 2,32 | € 116,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
6.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
142nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

