Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Package Type
SOT-23
Series
STripFET V
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
40mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
8 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
1.75 mm
Height
1.3mm
Length
3.04mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1.500,00
€ 0,50 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.860,00
€ 0,62 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 1.500,00
€ 0,50 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.860,00
€ 0,62 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Package Type
SOT-23
Series
STripFET V
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
40mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
8 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
1.75 mm
Height
1.3mm
Length
3.04mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


