Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
SOT-23
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
3.04mm
Standards/Approvals
No
Width
1.75 mm
Height
1.3mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1.020,00
€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.264,80
€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 1.020,00
€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.264,80
€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
SOT-23
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
3.04mm
Standards/Approvals
No
Width
1.75 mm
Height
1.3mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


