STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type P
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
SOT-23
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Length
3.04mm
Width
1.75 mm
Height
1.3mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 44,00
€ 0,44 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 54,56
€ 0,546 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 44,00
€ 0,44 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 54,56
€ 0,546 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type P
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
SOT-23
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Length
3.04mm
Width
1.75 mm
Height
1.3mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

