STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Package Type
SOIC
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.7W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4 mm
Height
1.5mm
Length
5mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 4.050,00
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.022,00
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 4.050,00
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.022,00
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Package Type
SOIC
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.7W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4 mm
Height
1.5mm
Length
5mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

