Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current Id
0.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
450V
Package Type
SO-8
Series
SuperMESH
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.5Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
10nC
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 21,70
€ 2,17 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,91
€ 2,691 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 21,70
€ 2,17 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,91
€ 2,691 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ταινία |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 2,17 | € 21,70 |
| 100 - 240 | € 2,09 | € 20,90 |
| 250 - 490 | € 1,98 | € 19,80 |
| 500 - 990 | € 1,83 | € 18,30 |
| 1000+ | € 1,80 | € 18,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current Id
0.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
450V
Package Type
SO-8
Series
SuperMESH
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.5Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
10nC
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China


