
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimum Operating Temperature
150°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maximum Operating Temperature
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Height
1.25mm
Length
5mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 151,50
€ 3,03 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 187,86
€ 3,757 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
€ 151,50
€ 3,03 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 187,86
€ 3,757 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 3,03 | € 15,15 |
| 125+ | € 2,40 | € 12,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimum Operating Temperature
150°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maximum Operating Temperature
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Height
1.25mm
Length
5mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος