Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1.65mm
Length
5mm
Standards/Approvals
No
Width
4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
10
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1.65mm
Length
5mm
Standards/Approvals
No
Width
4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.