Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
21 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.65mm
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 2.475,00
€ 0,99 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.069,00
€ 1,228 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 2.475,00
€ 0,99 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.069,00
€ 1,228 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
21 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.65mm


