Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 147,30
€ 4,91 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 182,65
€ 6,088 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 147,30
€ 4,91 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 182,65
€ 6,088 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
30
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 4,91 | € 147,30 |
| 90 - 480 | € 3,99 | € 119,70 |
| 510 - 960 | € 3,60 | € 108,00 |
| 990+ | € 3,11 | € 93,30 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


