Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
105 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
210 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 208,20
€ 6,94 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 258,17
€ 8,606 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 208,20
€ 6,94 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 258,17
€ 8,606 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 6,94 | € 208,20 |
| 90 - 480 | € 5,85 | € 175,50 |
| 510 - 960 | € 5,25 | € 157,50 |
| 990+ | € 4,62 | € 138,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
105 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
210 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


