STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW35N60DM2

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-247
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
-6.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
5.15 mm
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 15,04
€ 7,52 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,65
€ 9,325 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
€ 15,04
€ 7,52 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,65
€ 9,325 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
2
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-247
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
-6.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
5.15 mm
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

