STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW48N60DM2

Κωδικός Προϊόντος της RS: 111-6484Κατασκευαστής: STMicroelectronicsΚωδικός Κατασκευαστή: STW48N60DM2
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh DM2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

79mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 11,33

€ 11,33 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 14,05

€ 14,05 Μονάδας Με Φ.Π.Α

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW48N60DM2
Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

1

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1
1€ 11,33
2€ 22,66
3€ 33,99
4€ 45,32
5€ 56,65
6€ 67,98
7€ 79,31
8€ 90,64
9€ 101,97
10€ 113,30
11€ 124,63
12€ 135,96
13€ 147,29
14€ 158,62
15€ 169,95

€ 11,33

€ 11,33 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 14,05

€ 14,05 Μονάδας Με Φ.Π.Α

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW48N60DM2

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

1

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1
1€ 11,33
2€ 22,66
3€ 33,99
4€ 45,32
5€ 56,65
6€ 67,98
7€ 79,31
8€ 90,64
9€ 101,97
10€ 113,30
11€ 124,63
12€ 135,96
13€ 147,29
14€ 158,62
15€ 169,95

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh DM2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

79mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more