Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 8,20
€ 8,20 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,17
€ 10,17 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 8,20
€ 8,20 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,17
€ 10,17 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 9 | € 8,20 |
| 10 - 24 | € 7,65 |
| 25 - 99 | € 7,44 |
| 100 - 249 | € 6,55 |
| 250+ | € 6,42 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


