STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V Enhancement, 3-Pin

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
138A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
15mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
414nC
Maximum Power Dissipation Pd
625W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
5.3 mm
Length
15.9mm
Height
20.3mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 2.146,50
€ 71,55 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.661,66
€ 88,722 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 2.146,50
€ 71,55 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.661,66
€ 88,722 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
30
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
138A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
15mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
414nC
Maximum Power Dissipation Pd
625W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
5.3 mm
Length
15.9mm
Height
20.3mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος

