Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
VSONP
Series
NexFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
23nC
Maximum Power Dissipation Pd
108W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
3.4mm
Height
1mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1.900,00
€ 0,76 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.356,00
€ 0,942 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 1.900,00
€ 0,76 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.356,00
€ 0,942 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
VSONP
Series
NexFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
23nC
Maximum Power Dissipation Pd
108W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
3.4mm
Height
1mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No


