Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NexFET
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 3.925,00
€ 1,57 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.867,00
€ 1,947 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 3.925,00
€ 1,57 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.867,00
€ 1,947 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NexFET
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος


