Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.1mm
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,44
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,786
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
€ 1,44
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,786
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,44 | € 7,20 |
25 - 95 | € 1,29 | € 6,45 |
100 - 245 | € 1,13 | € 5,65 |
250 - 495 | € 1,08 | € 5,40 |
500+ | € 1,03 | € 5,15 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.1mm
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος