Texas Instruments Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement TO-263

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
200A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Maximum Drain Source Resistance Rds
12.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
1.9W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
50
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
200A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Maximum Drain Source Resistance Rds
12.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
1.9W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101

