Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
NexFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,56
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,934
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
€ 1,56
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,934
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,56 | € 78,00 |
100 - 200 | € 1,41 | € 70,50 |
250 - 450 | € 1,36 | € 68,00 |
500 - 700 | € 1,31 | € 65,50 |
750+ | € 1,24 | € 62,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
NexFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος