Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
16.51mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,79
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,22
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
€ 1,79
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,22
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,79 | € 8,95 |
25 - 45 | € 1,41 | € 7,05 |
50+ | € 1,39 | € 6,95 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
16.51mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος