Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
NexFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 5,97
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 7,403
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
€ 5,97
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 7,403
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 5,97 | € 298,50 |
100 - 200 | € 4,84 | € 242,00 |
250+ | € 4,61 | € 230,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
NexFET
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος