Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
4.83mm
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 325,00
€ 6,50 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 403,00
€ 8,06 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 325,00
€ 6,50 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 403,00
€ 8,06 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
4.83mm
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος