Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Package Type
WSON
Series
NexFET
Mount Type
Surface
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.39mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.9W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
8 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.7nC
Forward Voltage Vf
1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
2 mm
Height
0.7mm
Length
2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 870,00
€ 0,29 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.078,80
€ 0,36 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 870,00
€ 0,29 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.078,80
€ 0,36 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Package Type
WSON
Series
NexFET
Mount Type
Surface
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.39mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.9W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
8 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.7nC
Forward Voltage Vf
1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
2 mm
Height
0.7mm
Length
2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No


