Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Package Type
WSON
Series
NexFET
Mount Type
Surface
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.39mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.9W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
8 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.7nC
Forward Voltage Vf
1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
2 mm
Height
0.7mm
Length
2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
25
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Package Type
WSON
Series
NexFET
Mount Type
Surface
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.39mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.9W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
8 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.7nC
Forward Voltage Vf
1V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
2 mm
Height
0.7mm
Length
2mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No


