Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
NexFET
Package Type
VSON-CLIP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 332,50
€ 1,33 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 250) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 412,30
€ 1,649 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 250) Με Φ.Π.Α
250
€ 332,50
€ 1,33 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 250) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 412,30
€ 1,649 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 250) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
250
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
NexFET
Package Type
VSON-CLIP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος

