Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Output Current
1.5A
Pin Count
16
Package Type
SOIC
Fall Time
80ns
Number of Outputs
2
Driver Type
MOSFET
Rise Time
110ns
Minimum Supply Voltage
40V
Maximum Supply Voltage
40V
Number of Drivers
2
Minimum Operating Temperature
0°C
Maximum Operating Temperature
70°C
Width
7.52 mm
Height
2.35mm
Length
10.28mm
Standards/Approvals
No
Mount Type
Surface
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 124,30
€ 12,43 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 154,13
€ 15,41 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
€ 124,30
€ 12,43 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 154,13
€ 15,41 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 10 - 24 | € 12,43 |
| 25 - 49 | € 11,96 |
| 50 - 74 | € 11,46 |
| 75+ | € 10,99 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsProduct Type
MOSFET
Output Current
1.5A
Pin Count
16
Package Type
SOIC
Fall Time
80ns
Number of Outputs
2
Driver Type
MOSFET
Rise Time
110ns
Minimum Supply Voltage
40V
Maximum Supply Voltage
40V
Number of Drivers
2
Minimum Operating Temperature
0°C
Maximum Operating Temperature
70°C
Width
7.52 mm
Height
2.35mm
Length
10.28mm
Standards/Approvals
No
Mount Type
Surface
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET & IGBT Drivers, up to 2.5A, Texas Instruments
A range of dedicated Gate Driver ICs from Texas Instruments suitable for both MOSFET and IGBT applications. The devices are capable of providing suitable high current outputs compatible with the drive requirements of MOSFET and IGBT power devices and are available in a variety of configurations and package types.


