Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
136 mΩ
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.9 nC @ -10 V nC
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET P-Channel, SSM3J Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 6,90
€ 0,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 8,56
€ 0,285 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 6,90
€ 0,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 8,56
€ 0,285 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 30) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 0,23 | € 6,90 |
| 150+ | € 0,23 | € 6,90 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
136 mΩ
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.9 nC @ -10 V nC
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


