Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.8mm
Length
1.6mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.7mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, SSM3K Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 13,00
€ 0,13 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,12
€ 0,161 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
100
€ 13,00
€ 0,13 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,12
€ 0,161 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,13 | € 13,00 |
| 300+ | € 0,10 | € 10,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.8mm
Length
1.6mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.7mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


