Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R,LF(T

Κωδικός Προϊόντος της RS: 236-3576Κατασκευαστής: ToshibaΚωδικός Κατασκευαστή: SSM3K339R,LF(T
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 300,00

€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 372,00

€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R,LF(T

€ 300,00

€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 372,00

€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

Toshiba Silicon N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R,LF(T
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more