Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
92 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
0.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
Thailand
€ 1.020,00
€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.264,80
€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 1.020,00
€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.264,80
€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,34 | € 1.020,00 |
| 6000+ | € 0,34 | € 1.020,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
92 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.8mm
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
0.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
Thailand


