Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
US6
Series
SSM6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
20 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Length
1.25mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual MOSFET N-Channel SSM6Nxx, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 2,90
€ 0,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,60
€ 0,36 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
10
€ 2,90
€ 0,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,60
€ 0,36 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
US6
Series
SSM6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
20 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Length
1.25mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος