Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Height
0.9mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Χώρα Προέλευσης
Thailand
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,05 | € 150,00 |
6000 - 6000 | € 0,05 | € 150,00 |
9000+ | € 0,05 | € 150,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Height
0.9mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Χώρα Προέλευσης
Thailand