Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 16,92
€ 4,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 4) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,98
€ 5,245 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 4) Με Φ.Π.Α
Standard
4
€ 16,92
€ 4,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 4) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,98
€ 5,245 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 4) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
4
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 4,23 | € 16,92 |
| 20 - 76 | € 3,60 | € 14,40 |
| 80 - 196 | € 3,18 | € 12,72 |
| 200 - 396 | € 3,08 | € 12,32 |
| 400+ | € 3,03 | € 12,12 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


