Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
214 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 43,10
€ 4,31 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 53,44
€ 5,34 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
€ 43,10
€ 4,31 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 53,44
€ 5,34 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
10 - 19 | € 4,31 |
20 - 49 | € 4,15 |
50 - 249 | € 3,73 |
250+ | € 3,52 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
214 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος