Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS TK10A60W,S4VX(M

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220SIS
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,85
€ 1,57 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,73
€ 1,947 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 7,85
€ 1,57 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,73
€ 1,947 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,57 | € 7,85 |
25 - 45 | € 1,04 | € 5,20 |
50 - 120 | € 1,02 | € 5,10 |
125 - 245 | € 1,02 | € 5,10 |
250+ | € 0,99 | € 4,95 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220SIS
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος