Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS TK10A60W,S4VX(M

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220SIS
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 8,10
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,04
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 8,10
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,04
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,62 | € 8,10 |
| 25 - 45 | € 1,07 | € 5,35 |
| 50 - 120 | € 1,04 | € 5,20 |
| 125 - 245 | € 1,04 | € 5,20 |
| 250+ | € 1,02 | € 5,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220SIS
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος

