Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 9,25
€ 1,85 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,47
€ 2,294 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 9,25
€ 1,85 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,47
€ 2,294 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,85 | € 9,25 |
| 25 - 45 | € 1,12 | € 5,60 |
| 50 - 120 | € 1,04 | € 5,20 |
| 125+ | € 1,04 | € 5,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


